Diode Schottky- 1N5819 (1A , 40V)

2.00 DH

La 1N5819 est une diode Schottky à barrière métal-semi-conducteur, optimisée pour les applications nécessitant une faible chute de tension directe (V\ₒₙ) et une commutation ultra-rapide.

UGS : DIO016 Catégories : ,
Description

La 1N5819 est une diode Schottky à barrière métal-semi-conducteur, optimisée pour les applications nécessitant une faible chute de tension directe (V\ₒₙ) et une commutation ultra-rapide. Capable de gérer un courant direct de 1A et une tension inverse maximale de 40V, elle est idéale pour les convertisseurs DC-DC, les alimentations à découpage (SMPS) et la protection des circuits électroniques sensibles.

Caractéristiques techniques :

Courant direct maximal (I\ₙ) : 1A
Tension inverse maximale (V\ₙₘₐₓ) : 40V
Tension de seuil (V\ₒₙ) typique : 0.45V @ 1A (beaucoup plus faible qu’une diode classique)
Temps de récupération inverse (T\ᵣᵣ) : < 5ns (ultra-rapide)
Capacité de surtension (I\ₛₘ) : 25A (impulsion)
Type de boîtier : DO-41 (axial)
Température de fonctionnement : -65°C à +125°C

Applications :

🔹 Redressement haute efficacité dans les convertisseurs DC-DC et les alimentations à découpage
🔹 Suppression des pics de tension et protection contre les inversions de polarité dans les systèmes embarqués
🔹 Optimisation des circuits basse consommation grâce à sa faible chute de tension (V\ₒₙ), réduisant les pertes d’énergie
🔹 Filtrage et recirculation dans les moteurs et actionneurs robotiques
🔹 Redressement haute fréquence dans les applications RF et IoT

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